HVPE相关论文
建立了用于生长直径为15.24cm(6inch)的Ga2O3材料的氢化物气相外延(HVPE)生长腔的二维几何模型，对Ga2O3材料的生长进行了数值模拟。......
通过介绍蓝宝石衬底上生长氮化铟(InN)单晶薄膜的发展历程,阐述了生长该单晶薄膜的几种方法及生长过程中存在的一些问题和改进措施......
Ga_2O_3作为一种超宽禁带半导体新型材料,不仅具有超宽的带隙(高达4.9e V),较高的临界击穿电场(高达8MV/cm),而且在高温下还具有出......
氮化镓(GaN)是由Ⅲ族元素Ga和Ⅴ族元素N组成的直接宽带隙化合物半导体材料。GaN物理化学性质稳定,具有优异的光电特性,不仅是制备......
氮化镓被广泛应用于光电子和电力电子器件之中。由于氮化镓体单晶的研究进展落后于氮化镓器件的研究进展,商品化的氮化镓器件通常......
A high-quality GaN film was (W-GaN) grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) on metalorganic chemical vapor depositio......
Thick GaN layer deposited by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) on a metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) GaN ......
建立了HVPE的GaN流体动力学模型。基于CFD理论在三维空间内模拟了垂直式HVPE反应室生长GaN材料的流场、生成物的分布及沉积速率等......
基于CFD理论得出了不同条件下的温场分布,研究了流速变化对HVPE反应器温场的影响。在模拟计算中,流场数值模拟基于非交错网格系统......
研究了原位退火对用氢化物外延方法在（0001）面蓝宝石衬底上生长的氮化镓（GaN）外延薄膜的结构和光学性能的影响．测试表明，氨气气氛下在生......
建立了GaN HVPE系统的流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度场,讨论了反应室内GaCl和NH3管道空间配置对气体在衬底表面......
要氢化物气相外延（HVPE）是制备氮化镓（GaN）衬底最有希望的方法．本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途，总结了GaN体单晶及薄膜......
氮化镓(GaN)等第三代半导体材料有着广阔的应用前景。鉴于气相淀积生长法易于控制薄膜的厚度、组分和掺杂,从事这些新型半导体材料......
利用FLUENT软件对3种环形分隔进口（4环、8环、12环）的氢化物气相外延（HVPE）反应器的生长均匀性进行了二维数值模拟研究。分别考虑输运......
GaN作为第三代半导体材料因其优异的物理化学性能,被广泛应用在短波长光电子器件和高频微波器件等领域。由于同质GaN衬底的缺乏,大......
半导体照明取代传统照明仍受制于光效低、成本高、寿命短等问题。这些问题反映在制造领域体现为制造缺陷、核心设备、高效散热、可......
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以GaN为代表的Ⅲ/Ⅴ族化合物半导体由于其出色的性能,在微电子器件和光电器件领域有广泛的应用。然而现阶段GaN基器件大多是异质外......
半导体技术的不断发展，推动着半导体材料广泛的应用。半导体材料中,GaN具有的禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
由于厚的GaN膜可有效降低位错密度，因而生长厚膜GaN已成为近几年的研究热点。本文利用生长速度较快的氢化物气相外延（HydrideVapor P......
采用氢化物气相外延(HVPE)方法,以蓝宝石作衬底,分别在MOCVD-GaN模板和蓝宝石衬底上直接外延生长GaN.模板上的GaN生长表面平整、光......
氮化镓(GaN)由于优异的材料特性使得其在高功率、高压电力电子领域内有着巨大的应用前景,因此受到国内外广泛的关注。近年来,随着......
氮化镓基(GaN)光电器件的快速发展,对GaN的质量提出更高的要求,同质外延可以避免由于失配引起的缺陷,厚膜生长是解决GaN体材料生长......
GaN因其优异的光电性质和广泛的应用前景成为半导体的核心材料。氢化物气相外延(HVPE)方法因其超高的生长速率成为目前工业化生产......
随着信息科技的发展,半导体技术的发展也很迅速,相应的半导体材料的研究也就显得十分的重要。宽禁带化合物半导体材料氮化镓拥有高......
本文基于计算流体动力学原理,采用有限元分析软件对自行研制的垂直式HVPE系统制备GaN衬底材料进行了数值模拟研究。通过二维模型对......
在硅衬底上生长GaN取得了极大进展的基础上,本文创新性地提出了一种制备自支撑GaN衬底的新方法,即首先利用MOCVD,通过插入层和缓冲......
